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DMD无掩膜光刻机ZML-100A

泽攸科技 ZML 系列 DMD 无掩膜光刻机，采用先进数字微镜直写技术，无需传统掩膜版即可灵活完成任意微纳图形的精准曝光，加工精度出色、成像稳定。设备采用紧凑设计，搭配智能自动对焦与直观操作系统，上手简单、使用高效，能大幅缩短研发周期、降低制版成本，广泛适配微流控、MEMS、功能薄膜、二维材料器件等场景，是实验室与小批量试制中兼顾高精度、高灵活度与高性价比的理想微纳加工设备。

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产品描述

DMD 无掩膜光刻

ZML-100A无掩膜光刻机

泽攸科技 DMD 无掩膜光刻机ZML-100A，采用先进数字微镜直写技术，无需传统掩膜版即可灵活完成任意微纳图形的精准曝光，加工精度出色、成像稳定。设备采用紧凑设计，搭配智能自动对焦与直观操作系统，上手简单、使用高效，能大幅缩短研发周期、降低制版成本，广泛适配微流控、MEMS、功能薄膜、二维材料器件等场景，是实验室与小批量试制中兼顾高精度、高灵活度与高性价比的理想微纳加工设备。

主要技术参数

全系覆盖，选择你心仪的无掩膜光刻机

参数类别	参数内容
基础硬件	产品型号：ZML-100A
	光源：三颗 LED 光源；
	曝光光源：405nm
	引导光源：560nm;
	观察光源：白光，已做滤波处理
	配备 3 个光刻镜头
光刻速率	光刻镜头 50x，3mm2/min；
	光刻镜头 20x，20mm2/min；
	光刻镜头 5x，300mm2/min；
相机参数	相机参数：靶面尺寸＞1 英寸，像素＞2000 万
样品台	样品台尺寸：4 寸（带真空吸附套件及样品固定夹具）
	XY 轴：直线电机，重复定位精度 ±0.2um，定位精度 ±1um
	Z 轴：步进精度优于 20nm
	R 轴：±10°，定位精度 0.005°
软件通用功能	套刻辅助：通过将物象绑定与套刻对准深度融合，大大提高对准效率，能够更加直观判断对准效果
	原位绘图：结合第三方开源软件，实现样品的原位光刻功能
	显微拼接：通过快速拍摄样品表面不同位置的显微图片，通过算法融合形成一幅大视场的显微图，帮助用户观察样品表面情况、呈现光刻结果
	多任务光刻：场景一：对同一图层的不同区域设置不同的光刻剂量，实现最佳的光刻效果；
	多任务光刻：场景二：不同图层或多个图案文件设置不同光刻剂量，实现高效光刻流程
	拼接精度校正：内置拼接校正算法，用于校正拼接错位
切图模块	CAD 图形渲染：在切图前为用户提供 CAD 图形预览与交互功能，整体渲染基于 OpenGL 实现，利用 GPU 硬件加速，相较于传统 GDI+ 绘制方式，在渲染效率和交互流畅度上均有显著提升
	超大规模文件支持：最大可支持打开百万级以上图元数量的 CAD 文件，支持 dxf、dwg、gds、bmp、png、 jpeg 等多种格式
	高速加载能力：对于包含约 10 万个图元的 CAD 文件，打开时间仅需 3 秒左右
	高流畅交互体验：对于包含约 100 万个图元的 CAD 文件，平移、缩放、框选等操作无明显卡顿
	CAD 切图 - 高性能切图：对切图业务逻辑引入多线程、模板匹配等加速策略，切图性能可达约 500 张 / 分钟。
	CAD 切图 - 自定义框选切图：支持用户自定义框选区域，灵活指定不要被切割的图形区域
	CAD 切图 - 图形仿射变换：在切图阶段引入仿射变换能力，可对图形进行精确的旋转、缩放、平移及剪切操作
	CAD 切图 - 特色功能增强用户体验：集成测量、切图结果预览等辅助功能，用户可在曝光前直观验证切图效果
	切图日志：记录每次切图操作的关键信息，包括时间、源图文件路径、结果保存路径及切图参数配置。支持一键导入历史配置，实现快速复用；同时支持添加备注信息，并提供基于备注的模糊搜索功能，便于切图记录的追溯与管理
软件通用功能	光强校准：通过灰度调制技术对曝光图形进行精细补偿，有效校正 DMD 光强分布不均问题，提升曝光一致性，降低因光强差异带来的微观尺寸误差，提高加工精度与稳定性
	三维光刻：支持基于灰度高度映射的三维光刻切图，可将三维模型或高度数据转换为对应的灰度曝光图，实现精确三维形貌控制。
	跨分辨率光刻：可同时用不同分辨率光刻镜头进行光刻，提高关键尺寸得光刻质量，同时提高光刻效率；
安装空间及承重要求	占地面积：1m² 设备重量：250kg