DMD无掩膜光刻机

DMD无掩膜光刻机

泽攸科技 ZML 系列 DMD 无掩膜光刻机,采用先进数字微镜直写技术,无需传统掩膜版即可灵活完成任意微纳图形的精准曝光,加工精度出色、成像稳定。设备采用紧凑设计,搭配智能自动对焦与直观操作系统,上手简单、使用高效,能大幅缩短研发周期、降低制版成本,广泛适配微流控、MEMS、功能薄膜、二维材料器件等场景,是实验室与小批量试制中兼顾高精度、高灵活度与高性价比的理想微纳加工设备。

产品咨询:

产品描述

DMD 无掩膜光刻

ZML系列无掩膜光刻机

机型多样化 
高效、灵活、高分辨率和高套刻精度

特征尺寸0.5μm | 高精度步进光刻

泽攸科技 ZML 系列 DMD 无掩膜光刻机,采用先进数字微镜直写技术,无需传统掩膜版即可灵活完成任意微纳图形的精准曝光,加工精度出色、成像稳定。设备采用紧凑设计,搭配智能自动对焦与直观操作系统,上手简单、使用高效,能大幅缩短研发周期、降低制版成本,广泛适配微流控、MEMS、功能薄膜、二维材料器件等场景,是实验室与小批量试制中兼顾高精度、高灵活度与高性价比的理想微纳加工设备。

ZML系列无掩膜光刻机

主要技术参数

全系覆盖,选择你心仪的无掩膜光刻机

产品型号ZML10AZML100AZML200A
最小特征尺寸亚微米级图形制备亚微米级图形制备高精度亚微米级图形制备
套刻精度满足基础微纳加工需求满足精密微纳加工需求满足精密微纳加工需求
对焦方式图像自动对焦激光主动对焦激光主动对焦
旋转台手动转台电动转台电动转台
数据格式DXF、GDS、BMPDXF、GDS、BMPDXF、GDS、BMP

了解更多

应用案例

卓越的光刻技术满足您的各种要求

二维材料光刻电极、光电探测器

二维材料光刻电极(左)、光电探测器(右)

20mm×20mm半导体器件四层套刻

20mm×20mm半导体器件,四层套刻,最小线宽6μm

微流控芯片、微流控阳模

微流控芯片(左)、微流控阳模(右)

DMD紫外光刻实现套刻功能

DMD紫外光刻实现套刻功能

碲纳米网格刻蚀后套刻电极

碲纳米网格刻蚀后套刻电极

灰度光刻菲涅尔透镜

灰度光刻菲涅尔透镜【3D灰度光刻实现菲涅尔透镜,从扫描电镜的截面图中可以看出台阶连续变化】

DMD紫外光与电子束联合光刻

DMD紫外光与电子束联合光刻【使用的机型为 ZML10A 和 ZEL304G】

更多案例

泽攸科技DMD无掩膜光刻机助力科研团队发表高水平期刊成果

无掩膜光刻定域成管泽攸科技ZML系列DMD无掩膜光刻机在微纳加工关键步骤中,对STO/SRO/SCO外延异质结薄膜进行毫米级图形化定域,替代传统掩模快速定义矩形/盘状单元,再经离子束刻蚀成型;牺牲层酸蚀后薄膜自卷曲成微管,为制备高结晶质量SrRuO₃径向磁构型微管提供图形化基础。

无掩模光刻绘传感图泽攸科技DMD无掩膜光刻机在PdSe₂差压传感器制备中承担微纳图形化定域,以DMD数字掩模替代物理掩版,借纳米压电位移台拼接、红光引导、OPC修正与CCD自动聚焦,在SiNₓ/PdSe₂薄膜上高精度定义惠斯通电桥及电极图形,为无转移2D材料MEMS器件提供可靠光刻基础。

无掩模光刻绘光探测图泽攸科技DMD无掩膜光刻机在PtTe₂/WS₂/金字塔状Si异质结光电探测器制备中承担微纳图形化,以DMD数字掩模替代物理版,借纳米压电拼接、红光引导、OPC修正与CCD自动聚焦,在金字塔Si/WS₂上高精度定义Pt电极及PtTe₂图案,为半共形vdW异质结器件提供可靠光刻基础。

无掩模光刻绘仿视网图泽攸科技DMD无掩膜光刻机在SOI/石墨烯仿视网膜双模光电探测器制备中承担微纳图形化,以DMD数字掩模替代物理版,借黄光/绿光引导、CCD逐场自动聚焦与直线电机位移台,在SOI衬底上高精度定义石墨烯电极及异质结图案,为170 dB宽动态双模器件提供可靠光刻基础。

无掩模光刻绘宽带探图泽攸科技DMD无掩膜光刻机在SOI/PbSe可见光—短波红外双模光电探测器制备中承担微纳图形化,以DMD数字掩模替代物理版,借黄光/绿光引导、CCD逐场自动聚焦与直线电机位移台,在SOI衬底上高精度定义PbSe薄膜及电极图案,为偏压可调双模宽带探测器件提供可靠光刻基

部分客户

众多高校、科研机构与企业的信赖之选

部分客户

开启微纳光刻之旅

泽攸科技自主研发,提供全套微纳分析解决方案

电话咨询 400-966-2800

邮件咨询 micage@zeptools.com

推荐产品

获取最新资料手册

我们的工作人员将会在24小时之内(工作日)联系您,如果需要其他服务,欢迎拨打服务热线:400-966-2800
立即提交