泽攸科技 | 无掩膜光刻机与传统掩膜光刻机的核心差异是什么？在哪些场景下更适合选择无掩膜光刻机？
发布时间：
2025-08-11
在半导体制造以及微纳加工领域，光刻技术是决定芯片性能与微纳结构精度的关键环节。其中，无掩膜光刻机与传统掩膜光刻机在核心原理、技术特性上有着显著差异，这些差异也决定了它们各自的适用场景。
在半导体制造以及微纳加工领域，光刻技术是决定芯片性能与微纳结构精度的关键环节。其中，无掩膜光刻机与传统掩膜光刻机在核心原理、技术特性上有着显著差异，这些差异也决定了它们各自的适用场景。
无掩膜光刻机与传统掩膜光刻机的本质区别在于光刻图案的生成方式：
1、传统掩膜光刻：依赖物理掩模版，需预先制作昂贵的金属或玻璃掩模，图案固化后无法修改，适用于大批量、标准化生产。
2、泽攸DMD无掩膜光刻：
动态图案生成：通过数字微镜器件（DMD）实时投影图案，无需物理掩模，设计修改即时生效。
高灵活性：支持二维/三维灰度光刻、套刻拼接、原位绘图等功能，适应复杂微结构加工需求。
成本与周期优势：省去掩模制作成本，单次曝光成本低，适合科研试制与小批量生产。
适用场景：精准匹配多样化需求
无掩膜光刻技术凭借其灵活性与高精度，在以下领域展现出显著优势：
1、科研创新与原型开发
二维材料器件：如MoS₂/WSe₂异质结光电探测器、石墨烯电极制备，需快速迭代图案设计。
MEMS与微流控：泽攸光刻机支持0.5μm最小线宽与±0.5μm套刻精度，满足微型传感器、微阀等器件的复杂结构加工。
纳米压印模板：通过灰度光刻实现菲涅尔透镜等3D结构，应用于AR/VR光学器件。
2、快速原型与小批量生产
光电探测器研发：如碲纳米网格电极、PdSe₂差压传感器，通过无掩膜光刻加速材料验证与工艺优化。
定制化电子器件：支持DXF、GDS等格式文件导入，适配不同尺寸硅片（4/8英寸），满足实验室与初创企业的柔性需求。
3、高精度与特殊工艺场景
电子束联合光刻：结合DMD紫外光刻与电子束套刻，实现30μm级高分辨率图案叠加。
硅基异质结集成：通过OPC修正算法优化图形质量，提升Si/PbSe等异质结器件的良率。
泽攸科技DML系列：赋能微纳制造的国产解决方案
泽攸科技依托自主研发的DMD无掩膜光刻技术，推出ZML系列设备，核心优势包括：
高精度与稳定性：搭载7.56μm像素DMD芯片，支持0.5μm最小特征线宽，重复定位精度±0.25μm。
智能化操作：CCD自动对焦、物像绑定、拼接精度校正等功能，降低操作门槛。
多场景适配：从MEMS压力传感器到仿视网膜光电探测器，覆盖半导体、材料科学、生物医疗等领域。
结语
无掩膜光刻技术以其灵活性、低成本和高效率，正在重塑微纳制造的格局。泽攸科技凭借DML系列产品的核心技术优势，为科研机构与企业提供了从原型开发到小批量生产的完整解决方案。无论是二维材料创新、MEMS器件研制，还是定制化电子器件生产，泽攸无掩膜光刻机均是加速技术落地的理想选择。
立即咨询：www.zeptools.cn | 技术支持：support@zeptools.com
关键词：无掩膜光刻机、DMD技术、MEMS制造、二维材料、光电探测器、泽攸科技、国产光刻设备
泽攸科技DMD无掩膜光刻机
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