泽攸科技无掩膜光刻机 | 工艺介绍——1um线宽电极刻写
发布时间：
2025-08-28
上期我们介绍了无掩模光刻技术在二维材料中的应用，随着科研工作者研究的不断深入，对于光刻电极线宽的要求也在不断提高。
上期我们介绍了无掩模光刻技术在二维材料中的应用，随着科研工作者研究的不断深入，对于光刻电极线宽的要求也在不断提高。线宽和线宽间隔容易受到匀胶工艺、投影物镜分辨率以及临近效应的影响，导致我们很难做到1um及1um以下。那么我们今天就给大家介绍如何利用无掩膜光刻机刻写1um线宽的电极图案。
首先在光刻工艺中，想要做到1um线宽的电极，需要严格控制匀胶的厚度以及匀胶的均匀性。
一．前期准备
首先需要选用较薄的光刻胶（文章中展示案例使用的光刻胶为AR-P-5350），把胶层厚度控制在1微米，在进行匀胶之前，要提前20分钟从冰箱中拿出光刻胶，让光刻胶自然回温，让光刻胶和环境温度平衡，防止冷凝水混入光刻胶改变光刻胶的浓度和粘度。
二．匀胶工艺
匀胶要处于温度湿度稳定的环境中，滴胶的时候，要注意吸管中不能有气泡，会影响匀胶的均匀性，在匀胶前，需要把匀胶步骤设置好，完整的匀胶步骤包括低速旋转和高速旋转，低速旋转只需要几秒钟，是为了让光刻胶更好的涂覆在硅片上，高速旋转需要更长时间，在旋转作用下，均匀成膜，在匀胶之后，需要进行前烘，烤干水分，提高胶对衬底的黏附性，改善旋涂均匀性。具体的旋转速度和旋转时间，旋转加速度由实验情况决定，烘烤时间和温度从光刻说明书中获得。
三．光刻结果
通过QCAD或Klayout原位绘图功能绘制电极图形，绘制图形之后，上传关键电极部分在硅片上优化剂量，得到优化的剂量之后，设置优化后的曝光参数，在样品上曝光电极图形，曝光后采用光刻胶对应显影液显影足够时长，在去离子水中进行定影。显影工艺过后，镀膜并在丙酮中浸泡数分钟进行剥离，最终可以得到结果。
泽攸科技有限公司研发的DMD无掩膜光刻机，通过精心挑选的光刻物镜，能够提供无与伦比的光刻分辨率，高效、准确的刻写1um线宽和间隔的电极，提高科研的人员的效率。
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