【半导体原位表征】Nano Energy:泽攸科技原位样品杆应用于半导体器件


发布时间:

2023-08-23

利用PicoFemto®原位样品杆发表的研究成果持续更新中,未来小编还将不断更新产品应用案例。错过之前报道的老师们也可以在公众号首页点击"往期文章"阅读。也欢迎大家关注公众号,这里有电子显微镜领域的前沿资讯、特别的实验方案和高水平研究成果,快来和小伙伴们一起开脑洞吧。

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本期带来的是一篇PicoFemto®原位样品杆在新一代半导体器件研发中的应用,场效应晶体管在半导体行业有着广泛的应用。其中,由压电材料(氧化锌等)作为门控的场效应管在近年获得了广泛关注。本文利用STM-TEM原位样品杆搭载单根氧化锌纳米线,并在TEM中原位操纵、测量和观测。研究表明,当我们使用STM探针对氧化锌纳米线施加2.63%的应力后,该材料的电导率会骤降2个数量级。结合TEM的观测结果我们发现,这种电导率的变化与接触点处肖克力势垒无关,而是源自氧化锌纳米线横向压电潜能带来的载流子损耗。相关研究由日本NIMS、中科院物理所和量子物质合作创新中心共同完成,成果发表在《Nano Energy》上(Nano Energy (2015)13, 233-239)。

泽攸科技的PicoFemto®原位样品杆在该研究中稳定而准确地实现了搭载样品、电学测量以及施加应力的任务。

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氧化锌纳米线一端被固定在金针上,另一端通过钨针对其施加应力。

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理论模型对实验结果的支持。  

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应用器件模型